华为哈勃投资天域半导体：发力第三代半导体材料碳化硅

  除了投资“芯片之母”EDA企业，企查查工商资料显示，华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司，后者注册资本也从9027万元增加到9770万元，增幅8%。

  据悉，东莞市天域半导体成立于2009年，位于松山湖高新技术产业园区，是我国首家专门干第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。

  2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”，目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备，生产技术达到国际先进水平。

  至于深圳哈勃科技，华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%，今年4月刚刚成立。

  所谓第三代半导体，主要是二十一世纪以来以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体材料，即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅（Si）、锗元素（Ge），第二代主要是化合物半导体材料。

  总部位于东京的三菱电机将推出第二代全SiC（碳化硅）功率模块，该模块采用一种全新开发的工业用SiC芯片。 组件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高载操作有望促进在各种工业领域开发更高效、更小、重量更轻的功率设备。预计2021年1月开始销售。 具体而言，与三菱第一代SiC产品相比，JFET掺杂技术的导通电阻降低了约15%。 减小镜像电容（mirror capacitance 即MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容）能轻松实现快速开关并降低开关损耗。 与三菱电机传统的硅绝缘栅双极晶体管（Si-IGBT）模块相比，内置的SiC MOSFET和SiC SBD有助于降低约70%的功率损耗。 三

  压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温度高压力的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。 传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带动压缩机转动，实现空调的冷热交换功能。 电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，除了能提高车厢内的环境舒适度（制冷，制热）以外，对电驱动系统的温度控制发挥着及其重要的作用，对电池的常规使用的寿命、充电速度和续航能力都至关重要。 图1：电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件 电动压缩机需要满足持续不断的增加的需求，包括低成本、更小尺寸、更少振动和噪声、更高功率级别和更高能效。这些需求离不开压缩机驱

  模块,压缩机 /

  中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球知名半导体厂商 ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”，并于 2020 年 6 月 9 日举行了揭牌仪式。 与 IGBT*1 等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有传导损耗、开关损耗*2 小、耐温度变化等优势，作为能够明显降低损耗的半导体，在电动汽车车载充电器以及 DC/DC 转换器等方面的应用日益广泛。 自 2017 年合作以来，臻驱科技和罗姆就采用 SiC 功率元器件的车载应用开发，展开了深入的技术交流。此次联合实验室的成

  技术联合实验室 /

  在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体慢慢的受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。 目前随着消费类氮化镓供应商慢慢的变多，PI正在努力扩展氮化镓在工业和汽车中的应用，尽可能的避免陷入内卷的红海中。实际上，目前PI已有超过一半以上氮化镓应用不再是手机适配器。 可同时提供三类产品的电源公司 “目前PI是为数不多同时提供三类产

  ，从PI开始？ /

  搭配电动车市场的快速成长，近年 环旭电子 （上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的 电源模块 的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产 电动车用逆变器 (Inverter)使用的 IGBT 与 SiC 电源模块 。 根据调查研究机构Canalys的报告说明，2021年上半年全世界电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高电压、耐高温特性，能增强电动车快充效能，此一发展相辅相成，加速第三代半导体 SiC 与GaN芯片

  中国科技网 · 科技日报广州 9 月 9 日电（记者 叶青 通讯员 曹军） “第三代半导体是‘核芯’的关键材料和部件，在瞄准发展第三代半导体方面，不是发展某一单项技术或者某一产品的研发，而是要求形成行业合力，避免重复建设，打通第三代半导体行业全链条。” 9 日，国家第三代半导体技术创新战略联盟理事长吴玲在广东省第三代半导体发展的策略论坛上说。 吴玲理事长致辞。马建嘉摄 目前， 以氮化镓（ GaN ）、碳化硅（ SiC ）为代表的第三代半导体材料及相关器件芯片在电子信息、人机一体化智能系统、节能环保等领域具有 “ 核芯 ” 作用，具有基础性的战略支撑作用，已成为全世界高技术领域竞争战略制高争夺点，也是国际技术封锁的重点，更是广

  发展需要行业合力 /

  第三代半导体功率器件设计和方案商派恩杰半导体（杭州）有限公司（下称“派恩杰半导体”）近日完成了数千万元天使轮融资。本轮融资由深圳创东方投资（下称“创东方”）投资。派恩杰半导体持续专注于碳化硅和氮化镓功率器件的设计研发，并已经实现系列新产品量产。 派恩杰半导体创始人黄兴 公司创始人黄兴博士对集微网指出，本轮资金将用于碳化硅功率器件研发、人才团队建设、市场推广和产品备货。“本轮融资无疑是给我们资金上的有力支持，能够加快我们产品的步伐，同时也让我们扩充人力、快速布局市场。”黄兴说。 以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被视作下一个重要的产业赛道。相比第一、第二代半导体，第三代半导体具有宽禁带、高耐压、低阻抗等诸多优

  获天使轮融资 /

  器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日 前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插

  肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性 /

  电力电子器件的进展

  MOSFET功率模块行为模型及其低压辅助电源EMI预测研究_杜伟民

  器件基础 (（美）巴利加著；韩郑生，陆江，宋李梅等译；孙宝刚审校)

  材料与器件 (Michael Shur)

  2024 瑞萨电子MCU/MPU工业技术研讨会——深圳、上海站， 火热报名中

  STM32N6终于要发布了，ST首款带有NPU的MCU到底怎么样，欢迎小伙们来STM32全球线上峰会寻找答案！

  TI 有奖直播 使用基于 Arm 的 AM6xA 处理器设计智能化楼宇

  创实技术electronica 2024首秀：加速国内分销商海外拓展之路

  作为全球顶级规模、最具影响力的电子元器件展会，备受瞩目的2024德国慕尼黑国际电子元器件博览会（electronica 2024）于2024年11月12-15日 ...

  在上周刚刚举办的Electronica 2024 CEO圆桌论坛上，英飞凌，恩智浦以及意法半导体三家芯片巨头CEO齐亮相，三家CEO集体表达了对中美关系的 ...

  一场IC设计业盛宴！10场论坛 200位演讲嘉宾，300+展商亮相2万平米专业展会！

  今年正值ICCAD-Expo 30周年，我们最终选择再度牵手上海。12月11-12日，“上海集成电路2024年度产业高质量发展论坛暨第三十届集成电路设计业展览会”（ICCAD-Expo 2024）将在上海世博展览馆隆重举行。...

  富昌电子于 11 月 20 日在杭州举办富昌技术日活动，汇聚半导体供应商与行业专家，通过演讲、演示和互动讨论，一同探讨汽车电子、新能源 ...

  11 月 21 日消息，路透社报道称，在贝恩资本的支持下，铠侠将于当地时间周五（11 月 22 日）获东京证券交易所上市批准。根据其 IPO ...

  美国政府敲定对格芯 15 亿美元《CHIPS》法案补贴，支持后者提升在美产能

  SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，计划 2025 上半年对外出货

  三星电子 NRD-K 半导体研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备

  AN54，采用 LTC1148 5-14V、5V/1A 降压转换器和表面贴装技术的应用电路

  LTC3615MPUF-1 双路 3A 同步降压型 DC/DC 转换器在主机和从机中的典型应用，用于使用 2MHz 外部时钟实现一致跟踪输出

   使用 ams AG 的 AS1312-BTDT-50 的参考设计

  LT3755IUD-1 50W 白色汽车 LED 前照灯驱动器的典型应用电路

  使用 ADA4077-2ARZ 双电源高精度放大器用于低功耗线性化 RTD 电路的典型应用电路

  LTC3862 的典型应用 - 多相电流模式升压型 DC/DC 控制器

  DN05047/D、230 Vac、低成本、可调光、三级 LED 驱动器设计说明

  使用 NXP Semiconductors 的 TL431AI 的参考设计

  USB Type-C® 和 USB Power Delivery：专为扩展功率范围和电池供电型系统而设计

  非常见问题解答第223期：如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序？

  兆易创新GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash荣获ISO 26262 ASIL D功能安全认证证书

  意法半导体IO-Link执行器电路板为工业监控和设备厂商带来一站式参考设计

  你敢评，我敢送！ 点评《越控越有趣-TI C2000 LaunchPad炼成记》尽享精彩好礼！

  站点相关：市场动态半导体生产材料技术封装测试工艺设备光伏产业平板显示EDA与IP电子制造视频教程