佰维存储2024年半年度董事会经营评述

  公司主要是做半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，基本的产品为半导体存储器，主要服务为先进封测服务，其中半导体存储器按照应用领域不相同又分为嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储和移动存储等。公司以“存储赋能万物智联（Storage Empowers Everything）”为使命，致力于成为全世界一流的存储与先进封测厂商。公司紧紧围绕半导体存储器产业链，构筑了研发封测一体化的经营模式，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力，并积极布局芯片IC设计、先进封测、芯片测试设备研发等技术领域，是国家级专精特新小巨人企业、国家高新技术企业。公司产品可大范围的应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等领域。

  万物互联时代，数据呈指数级增长，海量数据（603138）需要存储，存储形式也更加多元化。公司紧随存储器大容量、大带宽、低延时、低功耗、高安全、小尺寸等升级方向，在移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等六大应用领域持续创新，打造了全系列、差异化的产品体系及服务，基本的产品为半导体存储器，主要服务为先进封测服务，其中半导体存储器按照应用领域不相同又分为嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储和移动存储等。

  公司嵌入式存储产品类型涵盖eMMC、UFS、ePOP、eMCP、uMCP、BGA SSD、LPDDR等，大范围的应用于手机、平板、智能穿戴、无人机、智能电视、笔记本电脑、机顶盒、智能工控、物联网等领域。具体产品情况如下：

  ePOP、eMCP、uMCP均为NAND Flash和LPDDR二合一的存储器产品，其中ePOP大范围的应用于对芯片尺寸、功耗有严苛要求的智能穿戴，尤其是智能手表、智能手环、VR眼镜等领域，而eMCP、uMCP则大范围的应用于智能手机、平板电脑等智能终端。

  凭借存储介质特性研究、自研固件算法、多芯片异构集成封装工艺及自研芯片测试设备与测试算法等核心技术优势，公司ePOP、eMCP产品具备小尺寸、低功耗、高可靠、高性能等优势。其中，ePOP系列新产品最小尺寸仅为8*9.5*0.78（mm），直接贴装在SoC的上方，增强了信号传输，节省了板载面积。公司基于LPDDR5的uMCP产品相较于UFS3.1和LPDDR5分离的方案可节约55％主板空间，助力智能手机系统更灵活设计。

  在市场方面，公司ePOP系列新产品目前已被Google、Meta、小天才等有名的公司应用于其智能手表、VR眼镜等智能穿戴设备上；公司eMCP、uMCP系列新产品获得智能手机、平板电脑客户的广泛认可。

  eMMC是当前嵌入式终端设备的主流闪存解决方案，在尺寸、成本等方面具有优势，占据较大的市场空间。UFS是eMMC的迭代产品，具有更高的存储容量和传输速率，目前已成为中高端智能手机的主流选择。eMMC、UFS大范围的应用于智能手机、平板电脑、车载电子、物联网、智能穿戴、机顶盒等领域。

  公司eMMC、UFS产品使用先进的自研架构固件、超薄Die封装设计与工艺，并通过自主研发的自动化检测系统的严苛测试，具有小尺寸、低功耗、高性能、高可靠性和高耐用性等特点。公司于2019年曾推出逼近封装极限的超小eMMC，尺寸仅为7.5*8.0*0.7（mm），是公司面向智能穿戴市场的一款广受好评的存储解决方案。公司于2024年新推出9.0*13.0*1.0（mm）小尺寸UFS产品，极大释放了智能手机的基板空间，助力客户提供更有功能和成本优势的整机解决方案，获得客户的广泛青睐。公司UFS产品有UFS2.2、UFS3.1等系列，性能及容量远超eMMC，可应用于旗舰手机和智能车载等中高端领域。在市场方面，公司eMMC、UFS系列新产品已进入主流手机生产厂商供应链体系。

  BGA SSD为芯片形态，尺寸仅为传统2.5英寸SSD的1/50左右，并具有低功耗、抗震、高可靠性等优势。同时，由于可搭配PCIe接口、NVMe协议，其读写性能提升的潜力巨大，是万物智联时代，高性能移动智能设备的理想存储解决方案。

  通过封装仿真设计、自研核心固件算法，并采用16层叠Die封装工艺，公司目前的BGASSD产品尺寸最小规格为11.5*13*1.2（mm），产品容量最大可达1TB，性能卓越、产品稳定、安全可靠。在市场方面，公司BGA SSD已通过Google准入供应商名单认证，在AI移动终端、云手机、高性能超薄笔记本、无人机、智能汽车等领域具有广泛的应用前景。

  LPDDR是面向低功耗内存而制定的通信标准，大范围的应用于智能手机、平板电脑、超薄笔记本、智能穿戴等移动电子设备领域。公司LPDDR产品涵盖LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4/4X、LPDDR5/5X各类标准，容量覆8Gb至128Gb；最新一代LPDDR5/5X相比于LPDDR4/4X产品，将对下一代便携电子设备的性能产生巨大提升，目前已面向市场稳定供应。

  高品质LPDDR要求具备超高频率、大容量、低功耗等特性，并拥有非常良好的稳定性、兼容性等特征，这对存储器厂商的测试能力有着极高的要求。公司在2022年引进全球领先的Advantest（爱德万）T5503HS2量产检测系统，与公司自研的全自动化测试设备相结合，进一步强化了公司全栈存储芯片测试能力，结合丰富的自研测试算法库，可以对DDR5/LPDDR5X等高端芯片做全面的特性分析，保证产品的质量，并达到客户真正的需求的高性能指标。在市场方面，公司LPDDR系列新产品已进入多家消费电子有突出贡献的公司的供应体系。

  公司的PC存储包括固态硬盘、内存条产品，主要使用在于电竞主机、台式机、笔记本电脑、一体机等领域。公司PC存储具有高性能、高品质的特点，并具备创新的产品设计。公司固态硬盘产品传输速率最高可达7,450MB/s，处于行业领头羊，并支持数据纠错、寿命监控、异常掉电保护、数据加密、端到端数据保护、功耗监测及控制等功能。公司已正式对外发布DDR5内存模组，其中超频内存条传输速率最高可达8,200Mbps，满足PC对极致性能的追求，并支持数据纠错机制、智能电源管理等功能。在PC预装市场，公司自主品牌佰维（Biwin）进入了惠普、联想、宏碁等知名PC厂商区域市场供应链。在PC后装市场，公司双向发力，一方面运营公司自主品牌佰维（Biwin），主要在京东、抖音等线上零售平台销售，以及通过与代理商合作开发线下渠道市场；另一方面独家运营的惠普（HP）、宏碁（Acer）、掠夺者（Predator）等授权品牌，主要在京东、亚马逊等线上平台，以及Best Buy、Staples等线下渠道开发To C市场。

  针对PC品牌商、PC OEM厂商、装机商等PC前装市场，公司佰维（Biwin）品牌提供的产品最重要的包含消费级固态硬盘及内存条，产品具有高性能、高品质的特点，符合To B客户的高标准要求。另外，公司能提供稳定的供货保障和完善的售后。凭借长期的技术研发积累和智能化的生产测试体系，公司产品通过了PC行业龙头客户严苛的预装导入测试，在性能、可靠性、兼容性等方面达到国际一流标准，目前已确定进入联想、宏碁、同方、富士康等国内外知名PC厂商供应链。在国产非X86市场，公司SSD产品和内存模组已陆续适配龙芯、鲲鹏、飞腾、兆芯、海光、申威等国产CPU平台和UOS、麒麟等国产操作系统，获得整机厂商广泛认可和批量采购。

  公司运营自主品牌佰维（Biwin），并获得惠普（HP）、宏碁（Acer）、掠夺者（Predator）的存储类产品全球独家运营授权，以及联想（Lenovo）在海外区域市场的存储器产品运营授权，开发PC后装、电子竞技等To C市场，并取得了良好的市场表现。

  在公司自主品牌佰维（Biwin）方面，针对不同的应用场景推出了Black Opal系列电竞级存储解决方案及Mainstream主流系列存储解决方案，涵盖多款高速、高容量、高性能的SSD（固态硬盘）和内存条等产品。在SSD（固态硬盘）产品方面，NV3500、NV7400以及NV7400HEATSINK SSD均属于Black Opal系列电竞级存储解决方案，其中NV7400HEATSINK SSD支持PCle Gen4x4接口及NVMe2.0高速协议，顺序读写速度分别达到7,400MB/s、6,500MB/s，通过华硕、技嘉、微星、华擎四大主板厂灯效认证，支持主板灯效联动，带给玩家全新的游戏体验。NV7200SSD属于Mainstream主流系列存储解决方案，支持PCle Gen4x4接口及NVMe2.0高速协议，顺序读写速度分别达到7,200MB/s、6,200MB/s，最高容量达到4TB，单面板设计，适用于台式机、笔记本电脑、PS5等多种应用设备，并荣获“2024年第九届ChinaJoy黑金奖”。

  在自主品牌佰维（Biwin）的内存条产品方面，佰维DX100DDR5内存条产品拥有大面积RGB发光，实现了从32GB（16GBx2）到64GB（32GBx2）、从6,000MT/s到8,000MT/s全容量、全频率覆盖，其中8,000MT/s对应时序低至C36，支持市场主流Intel和AMD平台。搭配散热材料及散热设计，让玩家坐拥高性能的同时享受更加绚丽璀璨的视觉效果。佰维DW100时空行者系列内存荣获“2024年度法国设计奖（FDA）金奖”、“2024年度德国红点设计奖”。

  在授权品牌运营方面，公司有两大突出优势：一方面企业具有从产品规划、设计开发到先进制造的全栈能力，产品线囊括NAND、DRAM的各个品类；另一方面企业具有覆盖全球主要市场的营销网络，以及本地化的产品和市场营业销售队伍、经销商伙伴，具备面向全球市场进行产品推广与销售的能力。公司先后获得惠普（HP）、宏碁（Acer）、掠夺者（Predator）等国际知名品牌的存储器产品全球运营授权，由公司独立进行有关产品的设计、研发、生产和市场推广、销售。2024年上半年，公司授权品牌产品线上销售份额进一步扩大。

  运营惠普（HP）以来，公司充分挖掘京东、Amazon、Newegg等线上平台，以及线下经销商渠道的销售潜力，产品销量位居行业前列，品牌美誉度持续提升。在拉美市场，惠普（HP）存储器产品表现强劲，曾占据秘鲁等国存储器进口排名首位。在2019年京东618购物节、2020年京东618购物节、2020年京东双11购物节等平台促销活动中，HP SSD产品销售额排名皆进入前五。HP FX900荣获PCmag“2023年度最佳M.2固态硬盘”、“2023年度最优惠SSD之一”、“2023年度最佳PCIe NVMe SSD之一”；HP FX900Pro固态硬盘获得Nikktech2022金牌奖、Kitguru2022值得购买奖、TweakTown2022编辑选择奖、IOPS冠军；HP FX900固态硬盘获得TweakTown2022编辑选择奖、PCMag2022年度“最佳M.2SSD”第四名；HP V10内存模组获得Techpowerup2022高度推荐奖、FunkyKit2022编辑选择金奖等。

  为进一步提升公司消费级存储的市场覆盖能力，2020年7月，公司与宏碁（Acer）签订高端电竞品牌掠夺者（Predator）的全球独家品牌授权，授权产品包括内存模组、固态硬盘、移动固态硬盘等品类。公司掠夺者（Predator）的系列产品主要面向游戏电竞市场，于2021年4月顺利面市，并迅速在To C市场崭露头角。宏碁（Acer）天猫旗舰店在2024年天猫618购物节年中大促期间固态硬盘品类天猫排行榜第三；宏碁掠夺者（Predator）京东自营旗舰店在2024年618购物节期间DDR5RGB品类京东排行榜第一、SSD品类京东排行榜第三；宏碁掠夺者（Predator）京东自营旗舰店在2023年京东双11购物节期间电竞内存品类京东排行榜第四名、SSD品类京东排行榜第三名；掠夺者（Predator）Hermes冰刃DDR5荣获“2024年第九届ChinaJoy黑金奖”；掠夺者（Predator）Hera DDR5荣获“2024年度法国设计奖（FDA）”；掠夺者（Predator）GM7000512GB固态硬盘荣获PCMag“2024年度适配PS5的最佳SSD之

  一”、“2024年度最佳内置SSD之一”；掠夺者（Predator）GM74TB固态硬盘荣获“PConline2023智臻科技奖年度黑马奖”；掠夺者（Predator）VestaⅡ炫光星舰系列内存荣获“2023年什么值得买（300785）值选奖年度质价比产品奖”；掠夺者（Predator）GM71TB固态硬盘荣获TechPowerUp“2023编辑选择奖”、“2023超值奖”；掠夺者（Predator）GM7000固态硬盘荣获PCmag“2023年度最佳PS5SSD”。

  2023年6月，公司获得联想（Lenovo）在海外区域市场的存储器产品运营授权，授权产品包括固态硬盘、移动固态硬盘等品类。Lenovo新品SSD目前已有LN960、LN950、LN860、LS800四个型号在售，其中LN960采用PCIe Gen4x4主控，顺序读写速度分别最高可达7,400MB/s、6,500MB/s，支持台式机、笔记本、PS5等各种场景；PCIe Gen4SSD LN950容量高达4TB，顺序读写速度分别可达7,200MB/s、6,200MB/s，超薄设计，高效散热。

  公司工车规存储包括工车规eMMC、UFS、LPDDR、SSD、内存模组、存储卡等，主要面向工车规细分市场，应用于通信基站、智能汽车、智慧城市、工业互联网、高端医疗设备、智慧金融等领域。工车规客户对产品的性能、稳定性、安全性、强固性、耐用性有着严苛的标准，对存储器厂商的技术研发实力、定制化能力、生产工艺、稳定供应等提出了极高的要求。公司针对不同领域的工车规应用开发了众多技术解决方案，满足不同场景的应用需求。

  公司通过自研设备和算法对存储介质进行特性研究及筛选，可针对不同应用适配最佳的存储介质，满足客户的宽温需求；通过核心固件算法开发，让产品读写性能更加稳定、并具备数据纠错、寿命监控、异常掉电保护、数据加密、端到端数据保护、功耗监测及控制等功能；通过分级的物料控制和生产制造控制，让产品具有更高的可靠性和持续工作稳定性；通过先进封装工艺，实现产品的小尺寸、多芯片异构集成封装；通过自研测试设备与测试算法，保证产品的高品质与高可靠性。

  公司工车规存储解决方案分为工业标准级、工业宽温级、车规级三大产品族，并针对特定行业的存储需求，推出多款行业解决方案产品。各系列产品包括SATA SSD、PCIe SSD、eMMC、UFS、LPDDR、BGA SSD、内存条、存储卡、NOR Flash等不同的产品形态，满足工车规客户的不同需求与场景。

  公司企业级存储有4大类别，分别为SATA SSD、PCIe SSD、CXL内存及RDIMM内存条，主要应用于数据中心、通用服务器、AI/ML服务器、云计算、大数据等场景。

  公司SS系列企业级2.5SATA SSD产品，采用SATA6Gbps接口规范，搭载DDR4外置缓存，最大顺序读取速度、写入速度分别达到560MB/s、535MB/s，4K随机写入最高可达45KIOPS，支持480GB、960GB、1920GB、3840GB、7680GB多种容量规格，端到端的数据保护、Thermal Throttling、动态和静态磨损平衡、支持电源动态管理、S.M.A.R.T、垃圾回收和TRIM、固件备份、Internal Die RAID等特性，可满足数据中心、云服务、物联网（IoT）、人工智能（AI）与机器学习等客户需求，在政府、金融、运营商、企业数据中心等多个行业领域具有广阔的应用前景。

  公司SP系列企业级PCIe SSD产品，基于PCIe4.0x4接口，2.5U.2外形尺寸，支持NVMe1.4b协议，同时该系列产品覆盖了DWPD>

  =1读取密集型和DWPD>

  =3读写混合型两种不同类型应用，采用创新架构，可实现超低且一致的读写延迟，具备优秀的能效比表现，可为客户提供业界领先的KIOPS/Watt综合性能。同时，公司SP系列企业级PCIe SSD支持各种领先特性，包括AES256加密、Sanitize高级格式化、End to End Data Path Protection（端到端数据路径保护）、Internal RAID、Secure Boot安全启动、TCG Opal2.0等，适合用于超大型的数据中心、云计算、计算型服务器、AI服务器等应用场合。

  AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上，CXL内存扩展功能可在服务器中的直连DIMM插槽之外实现额外的内存容量和带宽，支持内存池化和共享，满足高性能CPU/GPU的算力需求。

  公司的CXL内存扩展模组产品，支持CXL2.0规范。公司CXL2.0DRAM支持EDSFF（E3.S）和AIC HHHL两种外形规格，内存容量高达96GB，支持PCIe5.0x8接口，理论带宽高达32GB/s，可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板直连，扩展服务器内存容量和带宽。

  公司的企业级RDIMM内存条产品，支持DDR4规范，最高支持3,200MT/s数据传输速率。公司RDIMM内存条产品采用原厂DDR颗粒，结合公司自主研发的RDIMM内存条产品测试软件平台，对DDR颗粒和RDIMM模组进行严苛而全面的测试，充分保障产品的质量稳定可靠。企业级RDIMM内存条容量支持16GB、32GB，遵循JEDEC标准而设计研发，并通过了国内外主流的CPU厂商的认证，可广泛应用于数据中心、互联网、云计算、工作站等应用场景。

  公司移动存储包括移动固态硬盘、存储卡等产品，主要应用于消费电子领域，具有高性能、高品质的特点，并具备创新的产品设计。在公司自主品牌佰维（Biwin）方面，公司针对专业的摄影摄像用户群体推出了高端影像存储Amber系列，并不断完善与各大相机原厂的AVL认证，确保产品的兼容性表现。公司2024年上半年上市了佰维PD2000移动固态硬盘，搭配USB3.2Gen2x2Type-C接口，最高顺序读写速度分别达到2,050MB/s、1,800MB/s，可以为用户在传输数据时节省时间。PD2000能够支持iPhone15Pro系列的ProRes视频格式下的4K/60fps的视频外录。PD2000最高容量达到4TB，最大重量不超过30g，多彩颜色随意搭配，给用户提供轻便随行的便捷。

  同时，公司先后获得惠普（HP）、宏碁（Acer）、掠夺者（Predator）等国际知名品牌的存储器产品全球运营授权，由公司独立进行相关这类的产品的设计、研发、生产和市场推广、销售。

  公司以子公司泰来科技（曾用名：惠州佰维）作为先进封测及存储器制造基地。泰来科技专精于存储器封测及SiP封测，目前主要服务于母公司的封测需求。泰来科技封装工艺国内领先，目前掌握16层叠Die、30～40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进工艺量产能力，达到国际一流水平。同时，公司自主开发了一系列存储芯片测试设备和测试算法，拥有一站式存储芯片测试解决方案。未来，随着产能不断扩充，泰来科技将利用富余产能向存储器厂商、IC设计公司、晶圆制造厂商提供代工服务，形成新的业务增长点。泰来科技目前可提供Hybrid BGA（WB+FC）、WB BGA、FC BGA、FC CSP、LGA、QFN等封装形式的代工服务。

  公司积极布局晶圆级先进封测业务，晶圆级先进封测介于前道晶圆制造与后道封装测试之间，采用光刻、蚀刻、电镀、PVD、CVD、CMP等前段晶圆制造工序，以实现凸块、重布线、扇入、扇出、硅通孔等工艺技术，不仅可以将芯片直接封装在晶圆上，节省物理空间，还能够将多个芯片集成在同一晶圆上，实现更高的集成度。公司在东莞松山湖落地的晶圆级先进封装项目（该项目主体公司为公司控股子公司广东芯成汉奇）有利于帮助客户实现更大的带宽，更高的速度，更灵活的异构集成以及更低能耗的芯片封装。

  半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，根据功能的不同，集成电路又可以分为存储器芯片、逻辑芯片、模拟芯片、微处理器等细分领域。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，2023年全球半导体行业的整体规模达到5,268.8亿美元。其中，存储市场规模为922.9亿美元，占整个半导体市场规模的17.5%，是半导体产业的重要分支。全球半导体市场在经历了2022至2023年的下行期后，根据WSTS的预测，2024年存储市场将迎来强劲增长，预计存储市场规模将达到1,632亿美元，同比增长超过70%。据全球知名市场研究机构Yole发布的报告显示，得益于数据中心、云计算和5G等行业的持续增长以及全球半导体供应链的逐步恢复，2027年存储市场空间预计增长至2,630亿美元。

  下一代信息技术与存储器技术发展密不可分。物联网、大数据、人工智能、智能车联网、元宇宙等新一代信息技术既是数据的需求者，也是数据的产生者。根据IDC的数据，全球数据量将在2024年达到159.2ZB，预计到2028年将增至384.6ZB，年复合增长率高达24.7%。中国的数据量预计将从2023年的30.96ZB激增至2028年的97.06ZB，年复合增长率高达25.7%。数据需要存储，面临数据的爆发式增长，市场需要更多的存储器承载海量的数据。

  另外，目前存储器国产化率较低，根据TrendForce集邦咨询数据，国产DRAM和NANDFlash芯片市场份额低于5%，发展前景较大。存储器行业属于集成电路领域国家重要的战略性基础产业，对国家的电子信息产业和信息安全有重大的意义，存储芯片的国产化率随着市场和政策的双向推动将会大幅提升，国产存储产业前景广大。

  2024年AI将成为存储市场增长的强劲动力，AIPC和AI手机均会量产出货，IDC预计2024年全球新一代AI手机出货量将达2.34亿部，占智能手机整体出货量的19%，2028年有望达到9.12亿台，年复合增速将达到40.5%；Canalys预计2024年全球AIPC出货量将达到5,100万台，占PC总出货量的19%，2028年有望达到2.08亿台，年复合增速将达到42.1%。本地实现流畅运行大模型会对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容。预计终端OEM厂商的新AIPC和AI手机单机DRAM容量均会大幅提升，16GB RAM（内存）将成为新一代AI手机的基础配置，同时32GB甚至64GB内存或将成为AIPC的标配。生成式人工智能（AIGC）的推动下，AI服务器在2023年迅猛地增长，也带动HBM3E、DDR5需求的增加。TrendForce集邦咨询预期，2024年全球AI服务器出货量将达到165万台，占服务器整体出货量的12.1%，2026年出货量有望达236.9万台，年复合年均增长率约20%。

  综上，数据的持续增长将驱动存储产业规模不断提升，国产化率的提高将驱动国产存储产业链的迅速发展，AI技术革命将大大提升对高端存储器的需求，以上三个要素为国内存储产业带来了巨大的发展机遇。

  NAND Flash是非易失性存储的一种，是大容量存储器当前应用最广和最有效的解决方案。目前全球主要的NAND Flash IDM原厂为三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士等企业。从市场竞争格局来看，根据Gartner数据显示，2024年一季度的NAND Flash市场上，三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光、Solidigm的市场份额分别为36.2%、14.0%、13.5%、

  NAND Flash具有存储容量大、读写速度快、功耗低、单位成本低等特点，主要应用于有大容量存储（Storage）需求的电子设备。随着AI、物联网、大数据、5G等新兴应用场景不断落地，电子设备/服务器需要存储的数据量也越来越庞大，NAND Flash需求量巨大，市场前景广阔。

  DRAM是动态随机存取存储器，DRAM的特征是读写速度快、延迟低，但掉电后数据会丢失，常用于计算系统的运行内存（Memory）。目前全球主要的DRAM IDM原厂为三星、SK海力士和美光，三大厂商2023年市场占有率合计已超过94%。根据Gartner数据显示，2024年一季度的DRAM市场上，三星、SK海力士、美光、南亚科技的市场份额分别为42.1%、30.8%、21.7%、1.7%。受益于DRAM价格的全面回升，以及HBM、DDR5等产品的出货增长，2024年一季度全球DRAM市场规模为170.6亿美元，同比增长74.8%。

  HBM（High Bandwidth Memory）作为基于3D堆栈工艺的高性能Memory，打破了内存带宽及功耗的瓶颈。HBM即高带宽存储器，通过使用晶圆级封装技术将多个DRAM芯片进行堆叠，形成大容量、高带宽的HBM模块。HBM与GPU/CPU之间通过2.5D晶圆级封装技术进行整合互联，构建高性能计算芯片。在高性能GPU需求的推动下，HBM已经成为AI计算芯片的标配。

  根据Gartner数据显示，2024年，HBM市场规模预计将达到123.2亿美元，同比增长284.2%。随着AI大模型的兴起，海量算力需求催生了对芯片内存容量和传输带宽的更高要求，预计到2028年，HBM市场规模将增长至300.2亿美元，年复合增长率为24.9%。TrendForce集邦咨询报告显示，2023年，SK海力士以53%的市场份额领先HBM市场，其次是三星（38%）和美光（9%）。HBM广泛应用于高性能GPU和AI计算芯片中，以满足大规模数据处理和高速传输的需求。AI服务器对内存容量和带宽的要求推动了HBM在各类高性能计算中的普及。

  存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等多个领域，其中多个细分市场需求爆发式增长，从而带动整个存储器行业的持续扩容。

  AI技术对全球半导体存储行业产生了深远影响，带动了市场需求升级与技术创新。AI在多个领域的大规模应用，催生了对高性能、低延迟存储解决方案的巨大需求，AI促使半导体存储行业与上下游产业链紧密合作，进行跨领域技术创新，以满足数据爆炸式增长下的存储与处理需求。展望未来，随着技术的进一步成熟与普及，AI技术不仅推动了半导体存储市场规模的持续扩容，同时，将引导半导体存储行业向高性能、大容量、智能化的方向持续演进。

  全球半导体市场在经历了2022至2023年的下行期后，根据WSTS的预测，2024年存储市场将迎来强劲增长，预计存储市场规模将达到1,632亿美元，同比增长超过70%。据全球知名市场研究机构Yole发布的报告显示，得益于数据中心、云计算和5G等行业的持续增长以及全球半导体供应链的逐步恢复，2027年存储市场空间预计增长至2,630亿美元。

  从中长期来看，半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支，下一代信息技术与存储器技术发展密不可分。物联网、大数据、人工智能、智能车联网、元宇宙等新一代信息技术既是数据的需求者，也是数据的产生者。根据市场调研机构国际数据公司（International Data Corporation，IDC）发布的报告预测，全球数据量将在2024年达到159.2ZB，预计到2028年将增至384.6ZB，面临数据的爆发式增长，市场需要更多的存储器承载海量的数据。

  总体而言，随着下游应用场景的不断拓展，终端应用存储容量需求的持续提升，半导体存储器行业呈现出在波动中增长的显著特点。

  目前，国产DRAM和NAND Flash芯片市场份额低于5%，发展前景较大。在中国“互联网+”、大力发展新一代信息技术和不断加强先进制造业发展的战略指引下，国内信息化、数字化、智能化进程加快，用户侧的AI、短视频、直播、游戏、社交网络等应用和制造侧的工业智能化逐渐普及，刺激存储芯片的市场需求快速增长。

  2014年以来，中国成为全球最大的消费电子市场，并开始扮演全球消费电子行业驱动引擎的角色。此外，5G、物联网、数据中心等新一代信息技术在中国大规模开发及应用，也催生了我国对半导体存储器的强劲需求。以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂依托中国市场广阔需求，市场份额逐步增长。

  随着国内存储器产业链的逐步发展和完善，以佰维存储为代表的半导体存储器研发封测一体化厂商也迎来了发展机遇。

  公司聚焦于半导体存储器产品的研发与创新，所涉及技术领域主要包括存储解决方案研发、芯片设计、先进封测、测试设备研发等领域。随着存储晶圆制造工艺的不断演进，以及半导体存储器在智能终端、5G、数据中心、智能汽车、工业设备等领域的广泛应用，存储器产品所面临的主要挑战是在应用需求规格不断提升、存储晶圆制程不断演进的情况下，持续为客户提供符合应用场景的高可靠、高性能的存储器产品。公司在存储介质特性分析、存储固件算法技术、存储器先进封装技术及存储芯片测试等核心技术领域持续创新，拥有深厚的技术积累，并积极布局芯片设计、先进封测和测试设备开发，构造了嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储、移动存储、先进封测服务等核心产品线）存储介质特性分析

  NAND Flash晶圆与DRAM晶圆作为基础的存储介质，通过不同的应用技术可以开发成应用场景各异、形态各异的存储器产品。可靠的存储介质是有竞争力产品的核心要素。公司建立了专业、经验丰富的介质分析团队，开展不同环境特征、应用场景下的介质特性分析、失效机理研究及相应测试匹配算法研究；一方面对存储介质开展测试与选型匹配，将存储介质的使用价值最大化；另一方面介质特性分析数据可以为控制器芯片设计、固件算法和测试算法开发提供有效的支持，使算法优化有的放矢，从而有效提升产品开发效率与交付质量。

  为提升公司存储器产品的竞争力并为客户提供更加全面的存储解决方案，满足一线战略客户对技术竞争力的产品诉求，公司积极布局芯片研发与设计领域。SP1800作为公司第一款自研主控芯片，支持eMMC5.1协议，以领先的性能、高纠错能力和高度的兼容性重塑了eMMC存储新标准，实现了高性能与低功耗的完美平衡，将为终端用户带来更加高效、安全的存储体验。

  SP1800采用创新架构设计，极大地提升了芯片的数据并行处理能力。在智能手机快速响应、平板电脑流畅运行、智能家居设备实时交互以及汽车电子系统高效运行等关键应用场景中，SP1800都能以领先的性能表现，满足用户对于高速、稳定存储的迫切需求。以容量128GBeMMC为例，SP1800实测顺序读取带宽可达327MB/s，顺序写入带宽可达297MB/s，随机读取IOPS36K，随机写入IOPS更能达31K，领先于行业同类产品。

  此外，SP1800采用行业领先的4K LDPC算法和SRAM ECC纠错功能，能够有效保证数据的准确无误，加强了数据处理的可靠性，并确保了即使在极端条件下也能维持系统的稳定运行。

  同时，SP1800支持QLC（Quad-Level Cell）颗粒，与TLC颗粒相比，QLC颗粒能够在相同的物理空间内存储更多的数据。通过先进的算法优化与强大的纠错能力，即便在QLC环境下，亦能确保SP1800领先的性能与稳定性。

  公司在芯片设计领域持续加大研发力度，专注于自研LDPC纠错算法、高性能架构以及低功耗技术的研发，致力于构建主控核心技术平台。基于该平台，公司积极部署UFS主控芯片等关键领域，围绕功耗、性能、可靠性等核心指标，努力打造行业领先的、具备高度竞争力的主控能力，为提升存储解决方案的核心竞争力提供坚实保障。

  依托于存储控制器的存储器固件算法是构造存储器高可靠、高性能及安全可控等特性的核心所在。通过固件算法对NAND Flash的有效管理，结合公司具备的介质特性研究能力，公司有能力为客户提供具备独特竞争优势的存储器产品。公司掌握了接口协议、FTL核心管理算法、QoS算法、数据保护、数据安全等核心固件算法，全面掌握了存储固件核心技术，有能力匹配各类客户典型应用场景，并能够为客户提供创新优质的存储解决方案。同时，公司有能力结合算法需要定义主控芯片架构，以提升算法效率和实现基于应用场景的硬件加速及效能优化，进一步提升产品在智能穿戴、企业级、工车规级等场景下的竞争优势。

  NAND Flash存储晶圆技术不断演进，单位空间容量不断提升，但仍不能完全满足新一代信息技术对存储密度的需求。通过多芯片堆叠封装技术，在单位封装体内，集成更多的NANDFlash存储晶圆，能够大幅提高存储器的空间容量密度。因此多芯片堆叠和SiP等先进封测技术亦成为存储晶圆应用技术发展的重点方向之一。公司掌握16层叠Die、30～40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NAND、DRAM芯片和SiP封装产品的创新力及大规模量产提供支持。

  公司拥有资深封装设计和工艺研发团队，全面掌握BGA、Flip Chip、3DSiP等封装设计和工艺技术。公司高度重视芯片可靠性设计，通过多年来在行业标准、用户场景、芯片失效分析等领域不断探索和创新，有能力进行完备的基板级和封装级仿真，包括高速信号完整性（SI）仿真、电源完整性（PI）仿真、电磁兼容性（EMC）仿真、封装翘曲度应力仿真、模流应力仿真、热仿真等。在封装工艺领域，公司不断引进先进封装设备、失效分析设备和芯片可靠性实验设备，大力投入先进工艺研究，攻克了激光隐形切割工艺、超薄die贴片和键合工艺、Compressionmolding工艺、FC工艺、CSP工艺、POP、PIP和3DSiP以及封装电磁屏蔽等工艺技术。公司基于上述工艺的创新和组合，使得拥有复杂系统的存储芯片在体积、散热、电磁兼容性、可靠性、存储容量等方面拥有较强的市场竞争力。在封装设计与工艺领域的技术能力布局，让公司能够充分有效整合设计与工艺环节，使得公司存储器产品尤其是嵌入式存储产品实现行业领先的产品创新能力和可靠性。

  基于上述技术积累，公司成功实现高容量单芯片存储的设计和生产，具备高可靠性、高密度、高性能等产品优势，并荣获“2021年中国IC设计成就奖年度最佳存储器”。同时公司将封装技术与自主固件技术相融合，创新性的开发了一系列“小而精、低功耗、高性能”的特种尺寸存储芯片，如公司推出的超小尺寸eMMC，体积不足传统eMMC的1/3，特别适用于对体积、功耗和可靠性要求较高的可穿戴设备。

  随着算力需求的发展，存储芯片与算力芯片之间的瓶颈体现在高带宽和大容量方面，形成了“内存墙”，目前通过2.5D/3D Chiplet封装（以下简称“3DIC”）技术可以有效的降低传输线路延迟，提高集成密度，成为解决内存墙的关键。通过3DIC集成后，DRAM容量可以提升8～16倍，功耗可以降低70%以上，带宽可以提高10～20倍。同时异构集成的3DIC已经成为延续摩尔定律的最佳途径之一。3DIC将不同工艺制程、不同性质的芯片以三维堆叠的方式整合在一个封装体内，提供性能、功耗、面积和成本的优势，能够为5G移动、HPC、AI、汽车电子等领先应用提供更高水平的集成、更高性能的计算和更多的内存访问。

  公司于2023年11月正式落地东莞松山湖的晶圆级先进封测制造项目（该项目主体公司为公司控股子公司广东芯成汉奇），旨在打造大湾区先进封测的标杆。公司晶圆级先进封测制造项目正稳步向前推进，构建了完整的、国际化的专业晶圆级先进封装技术团队，团队成员均具备在国际知名半导体企业的工作经验，具有成熟研发和量产经验，为项目的实施定了坚实的基础。项目建成后可以提升大湾区集成电路产业规模和技术水平，为大湾区的集成电路产业发展起到补链和强链作用，有力提升大湾区新质生产力的转换速率。

  市场对2.5D/3D先进封装服务需求急迫，广东芯成汉奇已经开展了相关技术的开发，包括：多层高密度线宽RDL技术、小间距uBump、TSV开口硅基晶圆级转接板处理技术以及3D堆叠等先进封装技术。在设计层面公司搭建了适应于3DIC的信号、电源完整性分析仿真、热仿真、Stress仿真、模流仿真与多物理场仿真工具平台。在工艺层面拟采用一流的晶圆级工艺和设备，满足大客户需求。

  芯片测试是保障存储芯片产品质量的重要环节。公司在NAND Flash及DRAM存储芯片领域的高速ATE测试、Burn-in（老化）测试、SLT（系统级）测试等多个环节，拥有从测试设备硬件开发、测试算法开发以及测试自动化软件平台开发的全栈测试开发能力，并处于国内领先水平。针对SSD模组测试环节，公司已推出Ty-S101A和TS19XX系列设备，支持M2、U2、E1/E3等多种形态，测试协议支持SATA、PCIe Gen3/Gen4/Gen5等，支持所有形态的SSD模组测试，设备支持全自动、半自动、手动等多种选择，可供客户灵活选择；针对SLT环节，公司已推出TL29XX系列设备，支持LPDDR4X/LPDDR5产品测试，并测数最大支持256DUT，测试速率最大支持6,400Mbps，自动化程度高；针对Burn-in测试环节，公司已推出TB3305高速老化测试系统，采用创新性散热风道设计，支持2.4Gbps NAND的全速接口的高低温老化测试，设备兼容性强，可通过更换板卡，灵活支持UFS、eMMC、BGA SSD、eMCP、ePOP等大功率器件的全速接口老化测试。

  通过测试设备的全面自主开发，公司有效保障了在NAND Flash类存储芯片、DRAM类存储芯片等领域的测试能力。同时，通过多年产品的开发、测试、应用循环迭代，公司在上述自主平台上积累了丰富多样的产品与芯片测试算法库，有效保障了存储芯片的交付质量，提升了公司整体解决方案的竞争力。

  公司高度重视技术平台建设，以实现高效、高一致性、高可控的研发过程管理。公司持续投入芯片设计平台、芯片仿真平台、固件算法平台、自动化测试平台、工艺实现平台、装备技术平台等平台建设，实现各关键技术领域的标准化、自动化及归一化，为上述技术领域的不断创新发展提供更加高效的资源整合与平台支撑。

  截至2024年6月30日，公司共取得335项境内外专利和44项软件著作权，其中专利包括112项发明专利、160项实用新型专利、63项外观设计专利。2024年1-6月新增申请发明专利45项，新增授权发明专利17项。

  “其他”本期新增获得包含：1件国内商标；“其他”本期新增申请包含：50件国内商标；“其他”累计申请包含：37件国际商标申请，1件集成电路布图设计，174件商标申请；“其他”累计获得包含：123件国内商标，35件国际商标和1件集成电路布图设计。

  公司持续加大芯片设计、存储解决方案研发、先进封测及芯片测试设备等领域的研发投入力度，并大力引进行业优秀人才，导致2024年上半年研发费用较上年同期增幅较大。

  公司主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，主要产品为半导体存储器，主要服务为先进封测服务，其中半导体存储器按照应用领域不同又分为嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储和移动存储等。公司积极响应国家战略新兴产业导向，紧密结合新质生产力要求，强化研发封测一体化布局，涉及存储解决方案研发、主控芯片设计、存储器封测/晶圆级先进封测和存储测试机等产业链关键环节，以科技创新推动产业创新，推动存储及先进封测产业的高端化、智能化发展。

  根据公司财务报告数据统计，2024年半年度实现营业收入34.4亿元，同比增长199.64%；实现归母净利润为2.83亿元，同比增长195.58%，剔除股份支付费用后，实现归母净利润为4.8亿元，同比增长264.11%。

  公司2024年半年度业绩增长主要系公司紧紧把握行业上行机遇，大力拓展国内外一线客户，实现了市场与业务的成长突破，产品销量同比大幅提升；同时，受益于行业复苏，产品价格同比回升。此外，公司在存储解决方案研发、芯片设计、先进封测和测试设备等领域不断加大研发投入，提升公司长期竞争力和盈利水平。2024年半年度公司研发投入共计21,032.53万元，较上年同期增加13,360.68万元，增幅174.15%，占公司营业收入6.11%。报告期内主要经营情况如下：

  公司通过长期的技术积累与市场开发，产品与品牌竞争力不断提升。公司产品在国内存储厂商中市场份额位居前列，并已进入各细分领域国内外一线客户供应体系，营收保持高速增长。在手机领域，公司嵌入式存储产品进入OPPO、传音控股、摩托罗拉、HMD、ZTE、TCL等知名客户；在PC领域，公司SSD产品目前已经进入联想、Acer、HP、同方等国内外知名PC厂商；在国产PC领域，公司是SSD产品的主力供应商，占据优势份额；在智能穿戴领域，公司产品已进入Google、小米、Meta、小天才等国际知名智能穿戴厂商；在企业级领域，公司成立了北京子公司专注于企业级存储的研发与销售，为行业客户提供完整、领先的企业级PCIe/SATA SSD、RDIMM、CXL DRAM存储解决方案；在车规领域，公司产品已在国内头部车企及Tier1客户量产。

  公司坚持“科技是第一生产力、创新是第一动力”，始终高度重视研发投入，不断增强企业硬科技实力。2024年半年度公司研发投入共计21,032.53万元，较上年同期增加13,360.68万元，增幅174.15%，占公司营业收入6.11%。截至2024年6月30日，公司共取得335项境内外专利和44项软件著作权，其中专利包括112项发明专利、160项实用新型专利、63项外观设计专利。2024年1-6月新增申请发明专利45项，新增授权发明专利17项。

  公司始终坚持“人才是第一资源”的理念，拥有专业扎实、经验丰富的高素质研发人员对发展新质生产力起到关键性的作用。截至报告期末，公司研发人员数量达到750人，较上年同期增加277人，同比增长58.56%；公司研发人员数占公司员工总数量的37.73%，同比增加4.04个百分点。

  公司积极布局芯片研发与设计领域，目前公司第一款eMMC（SP1800）国产自研主控已完成批量验证，性能优异。作为国产自研的eMMC主控芯片，SP1800以其领先的技术实力，为用户提供了更高性能、更可靠的存储解决方案。SP1800支持eMMC5.1协议，支持QLC颗粒，采用创新架构设计以及4K LDPC算法和SRAM ECC纠错功能。SP1800以领先的性能、高纠错能力和高度的兼容性重塑了eMMC存储新标准，实现了高性能与低功耗的完美平衡，将为终端用户带来更加高效、安全的存储体验。

  公司顺应先进存储器发展需要以及存储和逻辑整合技术的趋势，于2023年11月正式落地东莞松山湖的晶圆级先进封测制造项目（该项目主体公司为公司控股子公司广东芯成汉奇），旨在打造大湾区先进封测的标杆。公司晶圆级先进封测制造项目正稳步向前推进，构建了完整的、国际化的专业晶圆级先进封装技术团队，团队成员均具备在国际知名半导体企业的工作经历，具有成熟研发和量产经验，为项目的实施奠定了坚实的基础。

  一方面，公司在存储芯片和逻辑整合封装、测试研发等领域积累了多年的技术基础，并已建立了成熟的供应链体系，广东芯成汉奇可以有效利用公司现有供应链资源降造和采购成本。另一方面，市场对2.5D/3D先进封装服务需求急迫，广东芯成汉奇已经开展了相关技术的开发，包括：多层高密度线宽RDL技术、小间距uBump、TSV开口硅基晶圆级转接板处理技术以及3D堆叠等先进封装技术。

  目前，该项目尚处于前期投入阶段，正在建设中，预计将于2025年投产，正式为客户提供整套的先进封装测试解决方案。同时，公司也将持续关注环境保护与安全生产，确保项目不仅在技术上领先，也在社会责任方面树立典范。项目建成后可以提升大湾区集成电路产业规模和技术水平，为大湾区的集成电路产业发展起到补链和强链作用。

  公司启用全新的品牌标识，全新的图形标识由一个圆形和两个几何锥体构成，代表了公司在全球化和技术驱动的战略下所展现的速度与力量；圆形的轮廓象征着公司“立足中国，面向世界”的全球化发展战略；两侧尖锐的锥形寓意着速度和品质，则象征着公司在技术创新道路上永不停歇的步伐；圆形内部由两个“金手指”切割成为公司的品牌首字母B，并在形态上借鉴并演化了中国太极形象，映射出公司在复杂多变的市场环境中创新驱动、共生共赢、可持续发展的品牌精神。

  此次品牌焕新，标志着公司在品牌战略上的重要升级，旨在通过崭新的品牌形象，深入传达BIWIN的品牌内核——技术优先、全球布局、品质至上、共生共赢。未来，公司将以“Infinite Storage,Unlimited Solutions”的服务理念践行存储赋能万物智联的使命，致力于成为全球一流存储与先进封测厂商，与合作伙伴一起共同擘画数字时代的新篇章。

  2024年5月31日，作为中国资本市场的重要风向标，上海证券交易所与中证指数有限公司共同宣布了对科创50指数样本的重大调整，该调整于2024年6月14日收盘后正式生效。在公布的调整名单中，公司被选入“科创50”指数样本股，这一成就不仅是对公司过去业绩和未来潜力的认可，也是对其在科技创新领域领先地位的肯定。“科创50”指数自设立以来，便被视为衡量国内“硬科技”企业实力与市场表现的重要指标。它精选了上海证券交易所科创板中市值最大、流动性最佳的50只证券，涵盖了集成电路、生物医药、高端装备、新能源、新材料等前沿科技领域。

  公司的入选意味着其将被纳入与“科创50”指数挂钩的各类交易型开放式指数基金（ETFs）的投资组合中，这不仅能够提升公司的股票流动性和市场影响力，还可能吸引更多的机构投资者关注，为公司带来长期资本支持。此外，随着公司科创属性的进一步彰显，其在资本市场的知名度和影响力有望显著增强，有助于公司在未来获得更多融资机会，加速在科研创新和研发技术方面的投入，从而推动公司持续成长和巩固行业领先地位。

  此外，公司在“科创板开市五周年峰会”中斩获“2024最具价值科创板上市公司”。该奖项通过对500余家企业的业务创新能力及增速情况、研发投入占比、人才引进机制、员工评价与培训情况、知识产权数量及发明创新情况等维度进行综合评估，经百家私募机构遴选出具有高价值回报的企业。公司通过优异的研发创新能力、稳健发展的业务等综合实力，最终在500多家科创板上市公司中脱颖而出。

  公司历来重视人才培养和储备，促进员工与企业共同成长，为保持公司市场竞争力和对核心人才的吸引力，报告期内公司采用自主定价方式向符合条件的董事、高级管理人员、核心骨干员工授予第二类限制性股票，表明公司管理层对未来长期发展的信心。

  公司将此次激励计划的股票授予价格确定为36元/股，约为前1个交易日交易均价的91.03%，约为前20个交易日交易均价的103.49%。此次限制性股票激励计划考核指标分为三个层面，分别为公司层面、部门层面和个人层面，其中公司层面考核指标为营业收入和市值，公司2024、2025、2026年的营收考核目标分别为50亿、65亿和80亿，市值考核目标分别为200亿、250亿和300亿。公司通过绑定市值目标，确保管理层、员工和股东的利益高度一致，共同致力于公司的高质量长期发展。

  公司重视投资者关系维护，构建了一套全面而高效的投资者沟通机制，通过业绩说明会、电话、电子邮箱、“上证e互动”投资者互动平台、接待机构调研等多种形式积极与投资者交流、互动，认真听取各方对公司发展的建议和意见，认真及时回复投资者相关问题，旨在确保广大投资者能够及时、准确地掌握公司的经营情况与战略规划，切实保护投资者合法权益。报告期内，公司举办了2023年年度及2024年一季度业绩暨现金分红说明会，累计组织12场机构调研活动，其中包含1场惠州封测制造中心实地调研参观活动，由专人累计接听处理超过230个投资者来电并积极回应投资者在互动平台提出的50多个问题。

  为进一步增强投资者对公司的了解，拉近投资者与上市公司的距离，报告期内公司开展了《股东来了》走进上市公司系列活动，通过展厅参观、研发实验室介绍、与公司管理层互动交流问答等环节，使投资者更加深入、全面了解公司整体运营模式、研发实力、产品市场竞争力等情况，搭建公司与投资者多元化沟通平台。

  报告期内，公司已注销通过集中竞价交易方式回购的公司股份，切实履行“提质增效重回报”行动方案。未来，公司将在经营情况和分红政策允许的前提下，积极推动股份回购和分红政策，以实际行动回馈股东，提升股东回报。

  半导体存储行业技术处于不断迭代更新之中，半导体存储器设计制造企业需要持续进行产品升级和新产品开发等技术研发活动，以应对不断变化的下游市场需求和行业技术的发展。公司结合技术发展和市场需求确定研发方向，持续进行研发投入。如果未来公司在产品和技术研发方向上与市场发展趋势出现偏差，或公司在研发过程中关键技术、核心性能指标未达预期，未能持续或有效革新技术，公司将面临研发失败的风险，相应的研发投入难以收回且未来业绩也将受到不利影响。

  公司积累和储备了一系列具有自主知识产权的核心技术，拥有覆盖研发及生产过程中的各个关键环节的数百项专利。此外，公司还在进行多项面向主营业务的核心技术研发工作。

  公司与核心技术人员签订了保密协议和竞业禁止协议，对其在保密义务、知识产权及离职后的竞业情况作出严格规定，以保护公司的合法权益，防止核心技术外泄。未来，公司若发生核心技术外泄或失密，可能对公司生产经营的可持续性造成一定不利影响。

  公司自成立起深耕半导体存储器行业，经过多年的不断积累，形成了较为完善的研发体系和专业的人才队伍。公司在存储介质特性研究、固件研发设计、硬件开发、封装设计与技术研发、芯片测试等领域拥有深厚的技术积累。

  公司高度重视人才队伍建设，并采取股权激励等多种措施吸引优秀技术人员，以保持人才队伍的稳定，但未来不排除因行业内竞争对手提供更优厚的薪酬、福利待遇或其他因素导致公司技术人才流失，对公司持续竞争力和业务发展造成不利影响。

  随着宏观经济形势的变化，半导体存储器的上游原材料供应及下游应用领域的市场景气度可能存在一定不稳定性。特别是在国际贸易形势变化、中美贸易摩擦的背景下，逆全球化势头抬升，全球经济发展面临新的不确定性，原材料采购端，公司核心原材料存储晶圆主要采购自三星、西部数据、铠侠、英特尔等存储晶圆厂商。如果未来国际贸易形势恶化、中美贸易摩擦加剧，可能会影响公司晶圆供应并对经营业绩带来不利影响。销售端，公司主要产品为嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储、移动存储等，应用领域覆盖移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等多个领域，客户范围通过香港地区物流、贸易平台辐射全球。如果未来全球宏观经济环境恶化，下游存储客户需求或出现下降，进而对公司的经营业绩带来不利影响。

  2022年以来，国际、国内形势多变，全球经济在局部地缘政治冲突、通胀上升等一系列事件冲击下下行风险加剧，抑制了手机、PC等消费电子需求，对于半导体存储器行业的整体发展产生了一定程度的不利影响。2021年度、2022年度、2023年公司营业收入分别为260,904.57万元、298,569.27万元和359,075.22万元，同比分别增长58.92%、14.44%和20.27%，收入增速有所放缓。受宏观经济波动导致消费电子行业需求下滑和研发投入增加的影响，2022年年度和2023年年度，公司归属于母公司股东的净利润分别为7,121.87万元和-62,435.89万元。若上述因素进一步恶化且研发投入无法及时带来效益，则公司业绩存在大幅下滑风险。

  公司核心原材料为NAND Flash晶圆和DRAM晶圆，存储晶圆的采购价格变动对公司的成本结构具有较大影响。存储晶圆的制造要求极高，投资巨大，全球厂商较少，扩产周期长，产能主要集中于三星、美光、SK海力士、铠侠、西部数据等几大晶圆制造厂，导致了晶圆的生产产能相对刚性；而存储晶圆的下游市场，电子产品需求变动较快，造成存储晶圆的供需易出现暂时性或结构性的紧缺或过剩，导致存储晶圆的价格处于不断变动的过程中。存储晶圆价格的上涨可能导致存储器下游客户短期内加大采购量，晶圆价格下跌可能导致下游客户短期内减少采购量，从而对存储器的供需产生影响，导致存储器的市场价格波动幅度与上游存储晶圆市场价格的同向波动。未来，若存储晶圆价格发生较动，可能导致公司存储器产品的毛利率出现波动，进而对公司经营业绩造成不利影响。

  公司主要原材料NAND Flash晶圆和DRAM晶圆产能在全球范围内集中于三星、西部数据、SK海力士、铠侠等少数供应商，其经营规模及市场影响力较大。公司与上述主要存储晶圆制造厂及其经销商建立了稳定的采购关系。未来，若公司主要供应商业务经营发生不利变化、产能受限、与公司合作关系发生变化或国际贸易形势恶化，可能导致公司无法按时按需采购相关原材料，从而对公司生产经营产生不利影响。

  2021年至2024年1-6月，公司前五大客户的营业收入占公司营业收入的比例分别为44.56%、39.61%、32.34%和47.38%，客户集中度相对较高。目前公司已与主要客户建立了长期稳定的合作关系，但如果未来公司与下游主要客户的合作关系出现重大不利变化，或现有主要客户因宏观经济变动、市场竞争加剧或者自身业务等因素影响导致主要客户对公司产品的需求大幅度减少，且公司未能及时拓展新客户，将对公司的经营业绩产生不利影响。

  2016年11月起，公司陆续获得惠普有限公司关于SSD产品（含后装市场内置SSD产品及外部便携式SSD产品）、后装市场SDRAM产品及后装市场存储卡产品的惠普（HP）商标全球79个国家或地区附条件独家授权，授权期限至2024年12月31日，其中，中国、印度、墨西哥、智利、秘鲁五个国家的授权已延期至2025年12月31日；2020年7月，公司子公司香港佰维获得宏碁股份有限公司关于DRAM、内置SSD、U盘、便携式SSD、便携式HDD、SD卡、MicroSD卡及CF卡产品的宏碁（Acer）及掠夺者（Predator）商标全球独家授权；报告期内，公司借助惠普（HP）、宏碁（Acer）、掠夺者（Predator）品牌有效拓展了在全球消费级市场的销售渠道，授权品牌固态硬盘、内存条等产品销售情况良好。未来，若上述品牌授权期限到期前公司未能与惠普、宏碁就继续合作达成一致，或公司被调减授权区域、变更授权类型等，则可能对公司的整体收入规模和盈利能力造成一定的不利影响。此外，根据相关协议，公司需向惠普、宏碁支付最低许可权使用费，存在相关产品销售收入未达到预期仍按照下限阈值向惠普、宏碁支付许可权使用费的风险。

  截至报告期末，公司控股股东、实际控制人孙成思直接持有公司80,936,000股，占公司总股本的18.84%。公司股东徐健峰（持股比例为1.40%）、孙静（持股数量比例为1.16%）、孙亮（持股数量比例为0.93%）及员工持股平台深圳佰泰（持股比例为1.86%）、深圳方泰来（持股比例为1.21%）、深圳泰德盛（持股比例为0.65%）、深圳佰盛（持股比例为0.47%）于2022年6月17日与公司实际控制人孙成思签订《一致行动协议》，约定股东孙静、孙亮、徐健峰、深圳佰泰、深圳方泰来、深圳泰德盛、深圳佰盛、孙成思在行使股东相应的提案权及表决权等权利时应保持一致行动并以孙成思的意见为准，该等协议有效期至公司在证券交易所上市满36个月之日止。据此，孙成思通过直接持股及一致行动关系合计控制公司26.52%股份的表决权。

  根据公司披露的《2023年度向特定对象发行A股股票募集资金使用的可行性分析报告（修订稿）》，公司拟通过向特定对象发行A股股票，募集资金总额不超过190,000.00万元（含本数），用于惠州佰维先进封测及存储器制造基地扩产建设项目及晶圆级先进封测制造项目。本次定向增发完成后，孙成思先生实际支配公司股份比例进一步降低。在目前股权架构条件下，不排除本次发行上市后主要股东持股比例变动而对公司的人员管理、业务发展和经营业绩产生不利影响，实际控制人持股比例的降低亦存在控制权发生变化的风险，如届时缺乏妥善的处理措施，可能对公司的长期稳定发展造成不利影响。

  存储器产品价格随市场供需状况而波动，导致公司毛利率波动，进而影响公司的盈利能力。2021年至2024年1-6月，公司综合毛利率分别为17.55%、13.73%、1.76%和25.55%，呈现波动

  性。上游晶圆供给、技术迭代、市场竞争格局，以及下游市场需求变化、监管政策变动等因素都是存储器产品价格波动的重要因素。2021年至2024年1-6月，公司营业收入260,904.57万元、298,569.27万元、359,075.22万元和344,078.03万元，归母净利润分别为11,657.26万元、7,121.87万元、-62,435.89万元和28,336.09万元，业绩呈现一定波动性。未来若出现公司产品结构不能持续优化、存储器市场供需状况大幅波动、市场竞争日趋激烈导致存储器产品市场价格大幅下降等情形，公司可能会出现业绩大幅波动和盈利能力下降的情况。

  公司产品主要使用在于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等领域。2022年以来受宏观经济波动等因素影响，手机、平板和PC等下游需求下滑。若未来公司产品所属下业需求持续下滑，且公司未能及时通过技术研发、产品竞争力抢占市场份额和持续拓展下业，将会导致公司产品售价下降、销售量降低等不利情形，未来经营业绩存在下滑的风险。

  2021年至2024年1-6月，公司存货账面价值分别为159,548.54万元、195,408.76万元、355,221.93万元和357,377.91万元，占公司资产总额的比例分别为56.79%、44.30%、56.10%和51.87%。公司存货主要由原材料和库存商品构成，各期末规模较大且占期末资产总额比例较高，主要系公司采取不同的备货策略、下游客户结构及需求变化所致。存货规模较大一定程度上占用了公司流动资金，可能导致一定的经营风险。公司已足额计提存货跌价准备，但由于存储器行业市场价格变化较快，若未来市场行情出现大幅下行，不排除公司进一步计提跌价准备从而影响整体业绩的可能性。

  2021年至2024年1-6月，公司经营活动产生的现金流量净额分别为-48,820.46万元、

  -69,259.12万元、-196,643.54万元和64,991.03万元。2021年至2023年，公司经营活动产生的现金流量净额存在为负情况，主要原因为公司处于快速发展阶