HBM、HBM2、3和3e技能比照

  由多层DRAM Die笔直堆叠，每层Die经过TSV穿透硅通孔技能完成与逻辑Die衔接，使得8层、12层Die封装于小体积空间中，以此来完成小尺存与高带宽、高传输速度的兼容，成为高性能AI服务器GPU显存的干流解决方案。

  现在迭代至HBM3的扩展版别HBM3E，供给高达8Gbps的传输速度和16GB内存，由SK海力士首先发布，将于2024年量。

  HBM首要使用场景为AI服务器，最新一代HBM3e搭载于英伟达2023年发布的H200。依据Trendforce数据，2022年AI服务器出货量86万台，估计2026年AI服务器出货量将超越200万台，年复合增速29%。

  AI服务器出货量添加催化HBM需求迸发，且随同服务器均匀HBM容量添加，经测算，预期25年商场规模约150亿美元，增速超越50%。

  HBM供给厂商首要集合在SK海力士、三星、美光三大存储原厂，依据Trendforce数据，2023年SK海力士市占率估计为53%，三星市占率38%、美光市占率9%。HBM在工艺上的改变首要在CoWoS和TSV。

  一文看懂英伟达A100、A800、H100、H800各个版别有啥不一样的差异？ - 知乎

  2023第一性原理科研服务器、量化核算渠道引荐 - 知乎 (zhihu.com)

  HBM1最早于2014年由AMD与SK海力士一起推出，作为GDDR竞品，为4层die堆叠，供给128GB/s带宽，4GB内存，明显优于同期GDDR5。

  HBM2于2016年发布，2018年正式推出，为4层DRAMdie，现在多为8层die，供给256GB/s带宽，2.4Gbps传输速度，和8GB内存；HBM2E于2018年发布，于2020年正式提出，在传输速度和内存等方面均有较大提高，供给3.6Gbps传输速度，和16GB内存。HBM3于2020年发布，2022年正式推出，堆叠层数及办理通道数均有添加，供给6.4Gbps传输速度，传输速度最高可达819GB/s，和16GB内存HBM3E由SK海力士发布HBM3的增强版，供给高达8Gbps的传输速度，24GB容量，方案于2024年大规模量产。

  HBM因其高带宽、低功耗、小体积等特性，大范围的使用于AI服务器场景中。HBM的使用大多散布在在高性能服务器，最早落地于2016年的NVP100GPU（HBM2）中，后于2017年使用在V100（HBM2）、于2020年使用在A100（HBM2）、于2022年使用在H100（HBM2e/HBM3），最新一代HBM3e搭载于英伟达2023年发布的H200，为服务器供给更快速度及更高容量。

  HBM供给厂商首要集合在SK海力士、三星、美光三大厂，SK海力士领跑。三大存储原厂首要承当DRAMDie的出产及堆叠，打开技能晋级比赛，其间SK海力士与AMD协作发布全球首款HBM，23年首先供给新一代HBM3E，先发奠定商场位置，首要供给英伟达，三星供给其他云端厂商，依据TrendForce数据，2022年SK海力士市占率50%、三星市占率40%、美光市占率10%左右，2023年SK海力士市占率估计为53%，三星市占率38%、美光市占率9%。

  1）CoWoS：是将DRAMDie一起放在硅中介层上，经过过ChiponWafer（CoW）的封装制程衔接至底层基板上，行将芯片经过ChiponWafer（CoW）的封装制程衔接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板衔接，整组成CoWoS。当时，HBM与GPU集成的干流解决方案为台积电的CoWoS，经过缩短互连长度完成更高速的数据传输，已大范围的使用于A100、GH200等算力芯片中。

  2）TSV：TSV硅通孔是完成容量和带宽扩展的中心，经过在整个硅晶圆厚度上打孔，在芯片正面和反面之间构成数千个笔直互连。在HBM中多层DRAMdie堆叠，经过硅通孔和焊接凸点衔接，且只要最底部的die能向外衔接到存储控制器，其他管芯则经过内部TSV完成互连。

  特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包含在内)为自媒体渠道“网易号”用户上传并发布，本渠道仅供给信息存储服务。

  昆明通报“臭肉事情”查询的终究成果，家长：被革职校长接近退休，有学生尿酸偏高

  李老八：JKL夺冠全赖TheShy和Rookie，Knight便是嫌他菜才归队的

  我国呈现吉祥星链！李书福：吉祥出行卫星已掩盖全球90%以上区域，无论是在高山仍是沙漠，未来吉祥车主永不失联【附卫星通信职业远景剖析】

  开家长会，任课教师该说什么，不应说什么？ 这一个视频，我给新教师供给一套完好的任课教师家长会话术模板，...