SK海力士尝鲜 该封装计划将初次运用于存储芯片 最早下一年推出

  SK海力士预备鄙人一代DRAM中运用2.5D扇出（2.5D fan-out）封装技能，最快将在2024年发布相关计划。

  这种技能将两个DRAM芯片水平并排放置，然后将它们组合成一个芯片，因为芯片下方没有添加基板，能使芯片更薄，安装在IT设备时的芯片厚度能大幅削减。

  值得注意的是，扇出技能是比其他封装类型具有更多I/O的小型封装，曾经从未用于存储职业，而是首要运用在于半导体制作范畴。

  2016年，苹果凭借台积电的扇出晶圆级封装（FOWLP）技能，将其16纳米运用处理器与移动DRAM整合到iPhone 7的一个封装中，从而将这项技能面向舞台；三星电子从本年第四季度开端将这项技能引进到Galaxy智能手机的先进AP封装中。

  先进封装为连续摩尔定理、提高芯片功能及集成度供给技能上的支撑，跟着生成式AI的开展，算力需求井喷，对芯片功能提出了更高的要求。HBM在带宽、功耗、封装体积方面具有显着优势，现在，高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成干流。

  SK海力士是HBM计划的强有力推动者，依照之前的计划，SK海力士最早将在2026年量产第六代HBM，即HBM 4，其将具有12层或16层DRAM。SK海力士还泄漏，将把下一代后处理技能“混合键合”运用于HBM 4产品。

  HBM为3D封装最典型运用，经过将多个DRAM芯片堆叠在一起，完成了更高的存储带宽和更低的推迟，而扇出封装技能归于2.5D封装计划。

  这家存储龙头公司现在挑选“两条腿走路”，降本或成其探究新途径的最大动力。

  HBM因为其杂乱的规划及封装工艺导致产能较低一起本钱比较高。BusinessKorea报导称，业界以为2.5D扇出封装技能能越过硅通孔（TSV）工艺来削减相关本钱，一起添加输入/输出（I/O）接口的数量。业界估测，这种封装技能将运用于图形DRAM（即GDDR，大范围的运用在高功能3D游戏、个人电脑、笔记本电脑或播映高分辨率视频的设备中），以及其他需求扩展信息I/O的范畴。

  从出资视点看，归纳东方证券和华金证券研报，TSV贯穿2.5D/3D封装运用，TSV工艺包括晶圆的外表清洗、光刻胶图画化、干法/湿法蚀刻沟槽、气相堆积、通孔填充、化学机械抛光等几种要害工艺，运用到晶圆减薄机、掩膜设备、涂胶机、激光打孔机、电镀设备、溅射台、光刻机、刻蚀机，一起配套的电镀液、靶材、特种气体、塑封料等需求亦有望快速提高。