基板的植球工艺流程pdf

  本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种基板的植球工艺流程。本发明的基板的植球工艺流程，包括以下步骤：S1提供基板，所述基板的植球点包覆有有机保护膜；S2水洗基板；S3通过电浆设备去除基板的有机保护膜；S4在基板的植球点植球。本发明的基板的植球工艺流程，基板植球前，先对基板水洗，然后通过电浆设备去除基板植球点的有机保护膜，再在基板的植球点植球。本发明的基板的植球工艺流程，基板放置在电浆设备的真空腔体内，通过射频电源在一定的压力下产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击基板的表面，实现基板上有机

  (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220742 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 1.2 (22)申请日 2021.12.01 (71)申请人 紫光宏茂微电子（上海）有限公司 地址 201799 上海市青浦区工业园区崧泽 大道9688号 (72)发明人 王天石王健伟赵亚玲董永俊 (74)专利代理机构 上海得民颂知识产权代理有 限公司 31379 代理人 陈开山 (51)Int.Cl. H01L 21/48 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 基板的植球工艺流程 (57)摘要 本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种 基板的植球工艺流程。本发明的基板的植球工艺 流程，包括以下步骤：S1提供基板，所述基板的植 球点包覆有有机保护膜；S2水洗基板；S3通过电 浆设备去除基板的有机保护膜；S4在基板的植球 点植球。本发明的基板的植球工艺流程，基板植 球前，先对基板水洗，然后通过电浆设备去除基 板植球点的有机保护膜，再在基板的植球点植 球。本发明的基板的植球工艺流程，基板放置在 电浆设备的真空腔体内，通过射频电源在一定的 压力下产生高能量的无序的等离子体，通过等离 子体轰击基板的表面，实现基板上有机保护膜的 A 去除，设备成本低，且不会对基板造成污染、腐 2 蚀，基板的植球效果更好。 4 7 0 2 2 4 1 1 N C CN 114220742 A 权利要求书 1/1页 1.一种基板的植球工艺流程，其特征是，包括以下步骤： S1提供基板，所述基板的植球点包覆有有机保护膜； S2水洗基板； S3通过电浆设备去除基板的有机保护膜； S4在基板的植球点植球。 2.依据权利要求1所述的基板的植球工艺流程，其特征是，步骤S2中，采用水洗机对 基板水洗。 3.依据权利要求2所述的基板的植球工艺流程，其特征是，基板的清洗水温为55±5 ℃； 基板在水洗机内的传送速度为0.8‑1.2m/min； 2 2 基板清洗时的第一道清洗水压为5±0.5kg/cm ，第二道清洗水压为8±0.5kg/cm 。 4.依据权利要求1所述的基板的植球工艺流程，其特征是，步骤S3中，所述电浆设备 的功率为200W； 基板电浆时的氩气流量为7sccm，氧气流量为7sccm； 基板电浆时的压力为150微米汞柱； 基板电浆的时间为300m。 2 2 CN 114220742 A 说明书 1/4页 基板的植球工艺流程 技术领域 [0001] 本发明实施例涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种基板的植球工艺流程。 背景技术 [0002] 半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片 的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的芯片，然后将 切割好的芯片用导电银胶或粘结胶带贴装到相应的基板的小岛上，再利用超细的金属(金 银铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(Bond P基板的植球工艺流程d)连接到基 板的相应引脚(Le基板的植球工艺流程d)，并构成所要求的电路。 [0003] 制作完成的基板，基板上呈矩阵布设有多个植球点(Pad)，基板的植球点包覆有有 机保护膜，防止基板植球点的铜表面在常态环境中氧化或硫化。基板在封装前，需去除有机 保护膜，并在基板的植球点植球(焊锡)，封装时基板的植球通过引线] 但目前基板的有机保护膜通过化学药水去除，设备及化学药水的成本高，且化学 药水容易对基板造成污染。 发明内容 [0005] 本发明的目的是提供一种基板的植球工艺流程，以解决上述背景技术中的问 题。 [0006] 本发明实施例提供一种基板的植球工艺流程，包括以下步骤： [0007] S1提供基板，所述基板的植球点包覆有有机保护膜； [0008] S2水洗基板； [0009] S3通过电浆设备去除基板的有机保护膜； [0010] S4在基板的植球点植球。 [0011] 基于上述方案可知，本发明的基板的植球工艺流程，基板植球前，先对基板水洗， 然后通过电浆设备去除基板植球点的有机保护膜，再在基板的植球点植球。本发明的基板 的植球工艺流程，基板放置在电浆设备的真空腔体内，通过射频电源在一定的压力下产生 高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击基板的表面，实现基板上有机保护膜的去除， 设备成本低，且不会对基板造成污染、腐蚀，基板的植球效果更好。 [0012] 在一种可行的方案中，步骤S2中，采用水洗机对基板水洗。 [0013] 在一种可行的方案中，基板的清洗水温为55±5℃； [0014] 基板在水洗机内的传送速度为0.8‑1.2m/min； [0015] 2 2 基板清洗时的第一道清洗水压为5±0.5kg/cm ，第二道清洗水压为8±0.5kg/cm 。 [0016] 在一种可行的方案中，步骤S3中，所述电浆设备的功率为200W； [0017] 基板电浆时的氩气流量为7sccm，氧气流量为7sccm； [0018] 基板电浆时的压力为150微米汞柱； [0019] 基板电浆的时间为300m。 3 3 CN 114220742 A 说明书 2/4页 附图说明 [0020] 为了更清楚地说明本发明实施例或现存技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发 明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。 [0021] 图1为本发明实施例中的基板的植球工艺流程的流程示意图。 具体实施方式 [0022] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是 本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 [0023] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、 “前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等 指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简 化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和 操作，因此不能理解为对本发明的限制。 [0024] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等 术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，也可以是成一体；可以是 机械连接，也可以是电连接，也可以是通讯连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介的 间接连接，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。 对于本领域的普通技术人员而言，能够准确的通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含 义。 [0025] 下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施 例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。 [0026] 如本申请背景技术中的描述，先期制作完成的基板，基板上呈矩阵布设有多个植 球点(Pad)，基板的植球点包覆有有机保护膜，防止基板植球点的铜表面在常态环境中氧化 或硫化。因有机保护膜会与助焊剂发生化学反应，所以基板在封装前，需去除有机保护膜， 并在基板的植球点植球(焊锡)，封装时基板的植球通过引线] 本申请的发明人发现，目前基板的有机保护膜一般是通过化学药水去除，投入的设 备及化学药水的成本高，且化学药水容易对基板造成污染、腐蚀。 [0028] 未解决以上问题，本申请发明人提出了本申请的技术方案，具体实施例如下： [0029] 图1为本发明实施例中的基板的植球工艺流程的流程示意图。 [0030] 如图1所示，本实施例的基板的植球工艺流程，包括以下步骤： [0031] S1提供基板，所述基板的植球点包覆有有机保护膜。 [0032] 具体的说，提供制作完成的基板，基板表面上呈矩阵的布设有多个植球点，在基板 的植球点处包覆有有机保护膜，有机保护膜保护植球点的铜在常态环境中不生锈(氧化或 硫化)。 [0033] S2水洗基板。 4 4 CN 114220742 A 说明书 3/4页 [0034] 具体的说，用水冲洗基板，去除基板表面上的灰尘等异物。 [0035] S3通过电浆设备去除基板的有机保护膜。 [0036] 具体的说，基板放置在电浆设备的真空腔体内，在电浆设备的真空腔体内通过射 频电源在一定的压力下产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击基板的表面，以 辅助去除基板植球点处包覆的有机保护膜。 [0037] S4在基板的植球点植球。 [0038] 具体的说，对去除了有机保护膜的基板植球点植球。 [0039] 通过以上内容显而易见，本实施例的基板的植球工艺流程，基板植球前，先对基板 水洗，然后通过电浆设备去除基板植球点的有机保护膜，再在基板的植球点植球。本发明的 基板的植球工艺流程，基板放置在电浆设备的真空腔体内，通过射频电源在一定的压力下 产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击基板的表面，实现基板上有机保护膜的 去除，投入的设备成本低，且不会对基板造成污染、腐蚀，基板的植球效果更好。 [0040] 可选的，本实施例中的基板的植球工艺流程，步骤S2中，采用水洗机对基板水洗。 [0041] 具体的说，将制作完成待植球的基板放置到水洗机内，通过水洗机对基板自动清 洗。 [0042] 进一步的，本实施例中的基板的植球工艺流程，基板的清洗水温为55±5℃； [0043] 基板在水洗机内的传送速度为0.8‑1.2m/min； [0044] 2 2 基板清洗时的第一道清洗水压为5±0.5kg/cm ，第二道清洗水压为8±0.5kg/cm 。 [0045] 具体的说，水洗机为网带式水洗机，设有两道清洗水压。基板在水洗机内清洗时， 水洗机的清洗水温为55±5℃，基板在水洗机内的传送速度为0.8‑1.2m/min，水洗机的第一 2 2 道清洗水压为5±0.5kg/cm ，第二道清洗水压为8±0.5kg/cm ，实现对基板的彻底清洗。 [0046] 可选的，本实施例中的基板的植球工艺流程，步骤S3中，所述电浆设备的功率为 200W； [0047] 基板电浆时的氩气流量为7sccm，氧气流量为7sccm； [0048] 基板电浆时的压力为150微米汞柱； [0049] 基板电浆的时间为300m。 [0050] 具体的说，基板在放入电浆设备的真空腔室去除有机保护膜时，电浆设备内通入 的氩气的流量为7sccm，氧气流量为7sccm。 [0051] 电浆设备的线] 基板在电浆设备内的电浆时间为300m。 [0053] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以 是第一特征和第二特征非间接接触，或第一特征和第二特征通过中间媒介间接接触。 [0054] 而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可以是第一特征在第二特征 正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之 下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水 平高度低于第二特征。 [0055] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示 例”或“一些示例”等的描述，意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特 点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书里面，对上述术语的示意性表述不 5 5 CN 114220742 A 说明书 4/4页 必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任 意一个或者多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域 的技术人员可以将本说明书里面描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进 行结合和组合。 [0056] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽 管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依 然可以对前述各实施例所记载的技术方案做修改，或者对其中部分或者全部技术特征进 行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术 方案的范围。 6 6 CN 114220742 A 说明书附图 1/1页 图1 7 7

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